Темы
  • физика и технология (MBE, MOCVD) кремния и полупроводниковых гетероструктур групп A3B5, А2В6 и A3-N, в особенности низкоразмерных наноструктур (квантовых ям, квантовых нитей и квантовых точек)
  • электронное материаловедение и диагностика (просвечивающая и сканирующая электронная микроскопия, электронный микроанализ проб, рентгеновская дифракция и топография, электронная Оже-спектроскопия, вторичная ионная масс-спектрометрия, спектроскопия переходо
  • оптоэлектроника, наноэлектроника, спинтроника на основе низкоразмерных гетероструктур
  • фотовольтаические преобразователи и солнечные элементы
  • теория электрических, оптических и квантовых когерентных явлений в полупроводниках
  • сверхбыстрые процессы и нелинейные оптические явления
  • полупроводниковые лазерные диоды (CW, DFB и пикосекундные гетероструктурные лазеры, лазеры с электронно-лучевой накачкой), фотодетекторы и фотоэлементы для среднего ИК, ИК, видимого и УФ спектральных диапазонов
  • импульсные мощные приборы на основе полупроводниковых соединений группы A3B5
Об Институте

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук

Руководители

Контакты

Адрес: 194021, Санкт-Петербург, Политехническая ул., 26
Телефон: (812) 297-2245
Факс: (812) 297-1017
Электронная почта: post@mail.ioffe.ru